【ISSCC】128GビットNANDフラッシュをSanDisk・東芝が発表、19nmの3ビット/セル適用
TECH-ON! -- 技術者を応援する情報サイト -- | FEBRUARY 23, 2012
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米SanDisk社と東芝は、19nm世代の3ビット/セル技術で製造した128GビットNANDフラッシュ・メモリを「ISSCC 2012」で発表した（論文番号25.8）。 Read more
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