【ISSCC】サブ20nm世代のNANDフラッシュが初登場、Samsungや東芝などが競う

【ISSCC】サブ20nm世代のNANDフラッシュが初登場、Samsungや東芝などが競う
TECH-ON! -- 技術者を応援する情報サイト -- | FEBRUARY 24, 2012
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「ISSCC2012」のSession25「Non-Volatile Memory Solutions」では、サブ20nm世代のNANDフラッシュ・メモリが初登場し、3ビット/セル技術で128Gビットと世界最大容量を更新した。 Read more

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